IRF5305PBF MOSFET Canal P -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds(on) commutation rapide grille niveau logique boîtier TO-220
Caractéristiques
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Mode d'enrichissement canal P – Simplifie la commutation côté haut sans nécessiter de pompe de charge ou de décalage de niveau.
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-55V Tension Drain-Source (Vdss) – Convient aux systèmes de bus automobiles et industriels 12V, 24V et 48V.
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-31A Courant de Drain Continu (Id) – Gère en toute sécurité les charges de courant modérées à élevées.
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65mΩ Rds(on) Max – Faible perte de conduction améliore l'efficacité et réduit la génération de chaleur.
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Grille de niveau logique – Entièrement amélioré avec Vgs = -5V à -10V, compatible avec les microcontrôleurs 3.3V/5V.
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Vitesse de commutation rapide – Faible charge de grille (Qg = 63nC typique) minimise les pertes de commutation dans les applications PWM.
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Conforme RoHS & Sans plomb – Le suffixe "PBF" indique des terminaisons respectueuses de l'environnement et sans plomb.
Applications
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Protection contre l'inversion de polarité – Protège les circuits d'entrée CC contre l'inversion accidentelle de la batterie dans les appareils automobiles et portables.
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Systèmes de gestion de batterie (BMS) – Déconnexion côté haut pour les packs de batteries Li-ion, LiFePO4 et plomb-acide.
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Commutateurs de charge – Active/désactive l'alimentation des modules, capteurs ou circuits périphériques dans les systèmes embarqués.
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Contrôle de moteur CC – Contrôle de vitesse PWM basse fréquence pour petits moteurs à balais (outils électriques, pompes, ventilateurs).
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Sélection d'alimentation – Commute entre les batteries principales et de secours ou les entrées d'adaptateur secteur.
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Pilotage de LED – Contrôle de gradation côté haut pour l'éclairage automobile, la signalisation et les lampes industrielles.
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Contrôleurs de charge solaire – Fonction de déconnexion pour panneaux ou batteries dans les systèmes hors réseau basse puissance.
Description
Le IRF5305PBF est un MOSFET de puissance à canal P utilisant la technologie avancée HEXFET®. Logé dans un boîtier TO-220 standard de l'industrie, il est conçu pour des applications de commutation à haut rendement nécessitant une faible résistance à l'état passant et des performances de commutation rapides. Avec une tension drain-source nominale de -55V et un courant de drain continu de -31A, ce dispositif est idéal pour la commutation de charge, la protection de batterie et les circuits de gestion d'alimentation où un sol positif ou un commutateur canal P côté haut est préféré. La grille de niveau logique simplifie l'interface avec les microcontrôleurs et les circuits de commande basse tension.
INFORMATIONS
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catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
Transistors
FACT,MOSFET
单 DONE,MOSFET
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Vgs(th) pour différents ID (maximum)
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fabricant
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Charge de grille (Qg) à différentes Vgs (max)
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série
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Vgs (max)
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Emballage
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Capacité d'entrée (CIS) à différentes Vds (Max)
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Statut de la pièce
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Dissipation de puissance (Max)
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Type de FET
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Température de fonctionnement
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Technologie
MOSFETs (oxydes métalliques)
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Type de montage
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Tension Drain Source (Vdss)
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Packages de dispositifs vendeurs
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Courant à 25°C - Drain continu (ID)
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Package/Boîtier
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Tension de commande (RDS On Max, RDS ON Min)
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Numéro de produit de base
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Résistance à l'état passant à différentes ID et Vgs (max)
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Dessin
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