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Module d'alimentation IGBT

LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications
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Module d'alimentation IGBT

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LA CHINE SK70KQ16 1600V 70A Module IGBT rapide basse vitesse (sat) 2,3V coupure rapide Diode de récupération douce haute température 150°C faible perte haute densité de puissance Pour les UPS et les onduleurs compacts usine

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2025-12-02 15:01:12
LA CHINE SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Module à demi-pont basse Vce ((sat) Diode de récupération douce à commutation rapide haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle Pour les UPS et les onduleurs solaires usine

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SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Module à demi-pont basse Vce ((sat) Diode de récupération douce à commutation rapide haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle Pour les UPS et les onduleurs ... Lire la suite
2025-12-02 14:08:35
LA CHINE NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 3.3mΩ Commutation rapide Haute fréquence Basse perte Haute densité de puissance Grade industriel Pour les onduleurs photovoltaïques et les moteurs usine

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 3.3mΩ Commutation rapide Haute fréquence Basse perte Haute densité de puissance Grade industriel Pour les onduleurs photovoltaïques et les moteurs

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2025-12-01 16:47:20
LA CHINE NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 11mΩ Commutation rapide haute fréquence haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle pour les moteurs solaires et industriels usine

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2025-12-01 14:02:19
LA CHINE NCE6050A MOSFET SiC 60V 50A Faible Rds(on) 18mΩ Commutation Rapide Haute Fréquence Haut Rendement Performances Robustes Boîtier TO-247 Pour Serveurs, Alimentations à Découpage et Entraînements de Moteurs usine

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NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET bas Rds ((on) 18mΩ Commutation rapide à haute fréquence Haute efficacité Performance robuste TO-247 Package pour les serveurs SMPS et les moteurs Caractéristiques Le système de r... Lire la suite
2025-11-27 14:54:51
LA CHINE MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Module à demi-pont bas Rds ((on) Commutation rapide à haute fréquence Opération à haute température à faible perte Grade industriel Pour PV et UPS usine

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Module à demi-pont bas Rds ((on) Commutation rapide à haute fréquence Opération à haute température à faible perte Grade industriel Pour PV et UPS

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Module à demi-pont bas Rds ((on) Commutation rapide à haute fréquence Opération à haute température à faible perte Grade industriel Pour PV et UPS Caractéristiques □ IGBT CHIP (... Lire la suite
2025-11-27 14:14:21
LA CHINE MMF200ZB040DK1 Module de puissance MOSFET SiC 200A 400V Faible Rds(on) 1,6 mΩ Haute efficacité Commutation à grande vitesse Qualité automobile Refroidissement liquide Pour onduleurs de traction xEV usine

MMF200ZB040DK1 Module de puissance MOSFET SiC 200A 400V Faible Rds(on) 1,6 mΩ Haute efficacité Commutation à grande vitesse Qualité automobile Refroidissement liquide Pour onduleurs de traction xEV

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V bas Rds ((on) 1,6mΩ Haute efficacité Commutation à grande vitesse Liquide refroidi de qualité automobile Pour les onduleurs de traction xEV Caractéristiques ... Lire la suite
2025-11-26 17:17:38
LA CHINE IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264 usine

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC Faible Rds(on) 65mΩ Commutation Rapide Haute Fréquence Diode de Corps Robuste Fonctionnement Haute Température Boîtier TO-264 Caractéristiques Boîtier Standard International ... Lire la suite
2025-11-26 16:52:34
LA CHINE FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Module IGBT HiPerFET 4 Haute Densité de Puissance Faible Vce(sat) Commutation Rapide Haute Fréquence SOA Robuste Pour Entraînements Industriels et Onduleurs usine

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FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Module haute densité de puissance basse Vce ((sat) Commutation rapide haute fréquence robuste SOA Pour les entraînements industriels et les UPS Caractéristiques Diode ... Lire la suite
2025-11-25 18:11:38
LA CHINE FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Haute densité de puissance Faible Vce(sat) Commutation rapide Haute fréquence SOA robuste Qualité industrielle pour onduleurs et solaire usine

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Haute densité de puissance Faible Vce(sat) Commutation rapide Haute fréquence SOA robuste Qualité industrielle pour onduleurs et solaire

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Haute densité de puissance basse Vce ((sat) Commutation rapide à haute fréquence robuste SOA de qualité industrielle pour les UPS et le solaire Caractéristiques ... Lire la suite
2025-11-25 16:29:18
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