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Module d'alimentation IGBT

LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications
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Module d'alimentation IGBT

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LA CHINE 6MBP80RTA060F-01 Module IPM 600V 80A avec IGBT intégrés et pilote HVIC Faible perte Haute fiabilité Protection intégrée Boîtier DIP compact Pour entraînements de moteurs et onduleurs usine

6MBP80RTA060F-01 Module IPM 600V 80A avec IGBT intégrés et pilote HVIC Faible perte Haute fiabilité Protection intégrée Boîtier DIP compact Pour entraînements de moteurs et onduleurs

6MBP80RTA060F-01 600V 80A IPM module intégré IGBTs et HVIC pilote faible perte haute fiabilité intégrée protection compacte DIP Package pour les moteurs et les UPS Caractéristiques Module de puissance ... Lire la suite
2025-12-31 17:38:18
LA CHINE 2SD300C17A2 1700V 300A Module à double diode à basse tension rapide récupération douce courant de surtension élevée isolation compacte pour rectificateurs industriels et UPS usine

2SD300C17A2 1700V 300A Module à double diode à basse tension rapide récupération douce courant de surtension élevée isolation compacte pour rectificateurs industriels et UPS

2SD300C17A2 1700V 300A Module à double diode à basse tension rapide récupération douce courant de surtension élevée isolation compacte pour rectificateurs industriels et UPS Caractéristiques Le pilote à double ... Lire la suite
2025-12-31 17:38:15
LA CHINE 2MBI200N-120 Module IGBT 1200V 200A Faible Vce(sat) Faibles pertes Haute robustesse aux courts-circuits NTC intégré Pour entraînements de moteurs et onduleurs industriels usine

2MBI200N-120 Module IGBT 1200V 200A Faible Vce(sat) Faibles pertes Haute robustesse aux courts-circuits NTC intégré Pour entraînements de moteurs et onduleurs industriels

Module IGBT 2MBI200N-120 1200V 200A Faible Vce(sat) Faible perte Haute robustesse aux courts-circuits NTC intégré Pour entraînements de moteurs et onduleurs industriels Caractéristiques Commutation à grande ... Lire la suite
2025-12-31 17:38:13
LA CHINE 1MB1900V-120-50 1200V 1900A Module IGBT à haute puissance Ultra basse tension Vce ((sat) haute robustesse du court-circuit basse perte de commutation technologie de press-fit pour les entraînements industriels de mégawatts et les onduleurs à haute puissance usine

1MB1900V-120-50 1200V 1900A Module IGBT à haute puissance Ultra basse tension Vce ((sat) haute robustesse du court-circuit basse perte de commutation technologie de press-fit pour les entraînements industriels de mégawatts et les onduleurs à haute puissance

1MB1900V-120-50 Module IGBT haute puissance 1200V 1900A Ultra faible Vce(sat) Haute robustesse aux courts-circuits Faibles pertes de commutation Technologie Press-Fit Pour entraînements industriels mégawatts et ... Lire la suite
2025-12-19 17:44:56
LA CHINE 1MB1300SA-120B-52 1200V 1300A Module IGBT en demi-pont Faible Vce(sat) Grande robustesse face aux courts-circuits Faibles pertes de commutation Technologie à ajustement serré Pour entraînements industriels lourds et onduleurs haute puissance usine

1MB1300SA-120B-52 1200V 1300A Module IGBT en demi-pont Faible Vce(sat) Grande robustesse face aux courts-circuits Faibles pertes de commutation Technologie à ajustement serré Pour entraînements industriels lourds et onduleurs haute puissance

1MB1300SA-120B-52 1200V 1300A Module IGBT en demi-pont, faible Vce(sat), robustesse élevée aux courts-circuits, faibles pertes de commutation, technologie à ajustement serré pour entraînements industriels ... Lire la suite
2025-12-19 17:44:51
LA CHINE FF75R12RT4 1200V 75A Module IGBT basse tension (sat) haut raideur de court-circuit basse perte de commutation haut isolement pour les entraînements industriels et les onduleurs UPS usine

FF75R12RT4 1200V 75A Module IGBT basse tension (sat) haut raideur de court-circuit basse perte de commutation haut isolement pour les entraînements industriels et les onduleurs UPS

FF75R12RT4 1200V 75A Module IGBT basse tension (sat) haut raideur de court-circuit basse perte de commutation haut isolement pour les entraînements industriels et les onduleurs UPS Caractéristiques Rating de ... Lire la suite
2025-12-19 17:44:45
LA CHINE SK70KQ16 1600V 70A Module IGBT rapide basse vitesse (sat) 2,3V coupure rapide Diode de récupération douce haute température 150°C faible perte haute densité de puissance Pour les UPS et les onduleurs compacts usine

SK70KQ16 1600V 70A Module IGBT rapide basse vitesse (sat) 2,3V coupure rapide Diode de récupération douce haute température 150°C faible perte haute densité de puissance Pour les UPS et les onduleurs compacts

SK70KQ16 1600V 70A Module IGBT rapide basse vitesse (sat) 2,3V coupure rapide Diode de récupération douce haute température 150°C faible perte haute densité de puissance Pour les UPS et les onduleurs compacts ... Lire la suite
2025-12-18 18:25:15
LA CHINE SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Module à demi-pont basse Vce ((sat) Diode de récupération douce à commutation rapide haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle Pour les UPS et les onduleurs solaires usine

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Module à demi-pont basse Vce ((sat) Diode de récupération douce à commutation rapide haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle Pour les UPS et les onduleurs solaires

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Module à demi-pont basse Vce ((sat) Diode de récupération douce à commutation rapide haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle Pour les UPS et les onduleurs ... Lire la suite
2025-12-18 18:25:12
LA CHINE NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 3.3mΩ Commutation rapide Haute fréquence Basse perte Haute densité de puissance Grade industriel Pour les onduleurs photovoltaïques et les moteurs usine

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 3.3mΩ Commutation rapide Haute fréquence Basse perte Haute densité de puissance Grade industriel Pour les onduleurs photovoltaïques et les moteurs

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 3.3mΩ Commutation rapide Haute fréquence Basse perte Haute densité de puissance Grade industriel Pour les onduleurs photovoltaïques et les moteurs Caract... Lire la suite
2025-12-18 18:25:09
LA CHINE NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 11mΩ Commutation rapide haute fréquence haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle pour les moteurs solaires et industriels usine

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 11mΩ Commutation rapide haute fréquence haute température 175 °C basse perte de qualité industrielle pour les moteurs solaires et industriels

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module bas Rds ((on) 11mΩ Commutation rapide haute fréquence haute température 175°C basse perte de qualité industrielle pour les moteurs solaires et industriels Caract... Lire la suite
2025-12-18 18:25:07
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