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Module d'alimentation IGBT

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LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications
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—— Ronald-de Boilvia

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LA CHINE FP100R12KT4 1200V 100A PIM Module IGBT TRENCHSTOPTM IGBT4 Faible VCE (sat) 2.1V Réctificateur intégré et plaque de base de cuivre de frein NTC Faible perte de commutation pour les moteurs distributeur
FP100R12KT4 1200V 100A PIM Module IGBT TRENCHSTOPTM IGBT4 Faible VCE (sat) 2.1V Réctificateur intégré et plaque de base de cuivre de frein NTC Faible perte de commutation pour les moteurs

Module d'alimentation IGBT

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LA CHINE NCE6050A MOSFET SiC 60V 50A Faible Rds(on) 18mΩ Commutation Rapide Haute Fréquence Haut Rendement Performances Robustes Boîtier TO-247 Pour Serveurs, Alimentations à Découpage et Entraînements de Moteurs usine

NCE6050A MOSFET SiC 60V 50A Faible Rds(on) 18mΩ Commutation Rapide Haute Fréquence Haut Rendement Performances Robustes Boîtier TO-247 Pour Serveurs, Alimentations à Découpage et Entraînements de Moteurs
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NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET bas Rds ((on) 18mΩ Commutation rapide à haute fréquence Haute efficacité Performance robuste TO-247 Package pour les serveurs SMPS et les moteurs Caractéristiques Le système de r... Lire la suite
2025-12-18 18:25:04
LA CHINE MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Module à demi-pont bas Rds ((on) Commutation rapide à haute fréquence Opération à haute température à faible perte Grade industriel Pour PV et UPS usine

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Module à demi-pont bas Rds ((on) Commutation rapide à haute fréquence Opération à haute température à faible perte Grade industriel Pour PV et UPS
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MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Module à demi-pont bas Rds ((on) Commutation rapide à haute fréquence Opération à haute température à faible perte Grade industriel Pour PV et UPS Caractéristiques □ IGBT CHIP (... Lire la suite
2025-12-18 18:25:02
LA CHINE MMF200ZB040DK1 Module de puissance MOSFET SiC 200A 400V Faible Rds(on) 1,6 mΩ Haute efficacité Commutation à grande vitesse Qualité automobile Refroidissement liquide Pour onduleurs de traction xEV usine

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MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V bas Rds ((on) 1,6mΩ Haute efficacité Commutation à grande vitesse Liquide refroidi de qualité automobile Pour les onduleurs de traction xEV Caractéristiques ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:59
LA CHINE IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264 usine

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264
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IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET bas Rds ((on) 65mΩ Commutation rapide à haute fréquence Corps robuste Diode à haute température Opération TO-264 Package Caractéristiques Paquet de normes internationales à haute ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:57
LA CHINE FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Module IGBT HiPerFET 4 Haute Densité de Puissance Faible Vce(sat) Commutation Rapide Haute Fréquence SOA Robuste Pour Entraînements Industriels et Onduleurs usine

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Module IGBT HiPerFET 4 Haute Densité de Puissance Faible Vce(sat) Commutation Rapide Haute Fréquence SOA Robuste Pour Entraînements Industriels et Onduleurs
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FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Module IGBT HiPerFET 4 Haute densité de puissance Faible Vce(sat) Commutation rapide Haute fréquence SOA robuste Pour entraînements industriels et onduleurs Caractéristiques Diode ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:53
LA CHINE FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Haute densité de puissance Faible Vce(sat) Commutation rapide Haute fréquence SOA robuste Qualité industrielle pour onduleurs et solaire usine

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Haute densité de puissance Faible Vce(sat) Commutation rapide Haute fréquence SOA robuste Qualité industrielle pour onduleurs et solaire
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FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 IGBT 1600A Haute densité de puissance Faible Vce(sat) Commutation rapide Haute fréquence SOA robuste Qualité industrielle pour onduleurs et solaire Caractéristiques Isolation 4 ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:48
LA CHINE FZ600R12KE4HOSA1 Module IGBT 1200V/600A bas VCE (sat) basse vitesse basse perte de commutation à haute vitesse épingles press-fit isolées plaque de base NTC capteur de qualité industrielle pour entraînements lourds et convertisseurs éoliens usine

FZ600R12KE4HOSA1 Module IGBT 1200V/600A bas VCE (sat) basse vitesse basse perte de commutation à haute vitesse épingles press-fit isolées plaque de base NTC capteur de qualité industrielle pour entraînements lourds et convertisseurs éoliens
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FZ600R12KE4HOSA1 Module IGBT 1200V/600A Faible VCE(sat) Commutation Rapide Faibles Pertes Broches à ajustement serré Plaque de base isolée Capteur CTP Qualité industrielle pour entraînements robustes et ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:44
LA CHINE FF100R12RT4 1200V/100A Module IGBT 3 en 1 Chopper de freinage intégré VCE basse (sat) Commutation à grande vitesse à faible perte Plaque de base isolée NTC intégrée pour entraînements industriels et systèmes UPS usine

FF100R12RT4 1200V/100A Module IGBT 3 en 1 Chopper de freinage intégré VCE basse (sat) Commutation à grande vitesse à faible perte Plaque de base isolée NTC intégrée pour entraînements industriels et systèmes UPS
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FF100R12RT4 1200V/100A Module IGBT 3 en 1 Chopper de freinage intégré VCE basse (sat) Commutation à grande vitesse à faible perte Plaque de base isolée NTC intégrée pour entraînements industriels et systèmes ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:41
LA CHINE FF100R12KS4 1200V/100A Module IGBT 3 en 1 Chopper de freinage intégré VCE bas (sat) Commutation à grande vitesse à faible perte Plaque de base isolée NTC intégrée pour entraînements industriels et onduleurs solaires usine

FF100R12KS4 1200V/100A Module IGBT 3 en 1 Chopper de freinage intégré VCE bas (sat) Commutation à grande vitesse à faible perte Plaque de base isolée NTC intégrée pour entraînements industriels et onduleurs solaires
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Module IGBT FF100R12KS4 1200V/100A 3-en-1 avec hacheur de frein intégré, faible VCE(sat), commutation à grande vitesse, faibles pertes, NTC intégré, plaque de base isolée pour entraînements industriels et ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:37
LA CHINE FD1200R17HP4-K_B2 1700V/1200A Module IGBT Technologie de press-fit basse vitesse VCE ((sat) Commutation à haute vitesse basse perte Plaque de base isolée NTC Capteur de qualité industrielle pour la traction et les entraînements lourds usine

FD1200R17HP4-K_B2 1700V/1200A Module IGBT Technologie de press-fit basse vitesse VCE ((sat) Commutation à haute vitesse basse perte Plaque de base isolée NTC Capteur de qualité industrielle pour la traction et les entraînements lourds
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FD1200R17HP4-K_B2 Module IGBT 1700V/1200A Technologie Press-Fit Faible VCE(sat) Commutation Rapide Faibles Pertes Plaque de Base Isolée Capteur NTC Qualité Industrielle pour Traction & Entraînements Lourds ... Lire la suite
2025-12-18 18:24:34
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Module cellulaire à grande vitesse du module 4G LTE de GSM pour des routeurs, Netbooks

Module EM7430 pour les réseaux de longue portée 4G LTE Cat 6

Module de MC7430 MDM9230 4G LTE

Le jeu de puces 4G de Qualcomm MDM9230 a enfoncé les modules sans fil MC7455 USB 3,0

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4 panneau de prototype de bâti de surface de panneau de carte PCB du prototype 94v0 de carte PCB de couche

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Gain de l'antenne externe HI de GPS de connecteur de SMA/SMB/BNC pour le système de véhicule

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