FM24CL64B-GTR FRAM 64Kb I2C 1MHz 10^14 Endurance 151 ans Rétention Écriture sans délai 3.6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR

Caractéristiques

■ Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 Kbit organisée logiquement en 8K × 8

❐ Endurance élevée de 100 000 milliards (1014) lectures/écritures

❐ Rétention des données de 151 ans (Voir Rétention des données et Endurance à la page 10)

❐ Écritures NoDelay™

❐ Processus ferroélectrique avancé à haute fiabilité

■ Interface série rapide à 2 fils (I2C)

❐ Fréquence jusqu'à 1 MHz

❐ Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)

❐ Prend en charge les temporisations héritées pour 100 kHz et 400 kHz

■ Faible consommation d'énergie

❐ 100 A (typ) courant actif à 100 kHz ❐ 3 A (typ) courant de veille

■ Tension de fonctionnement : VDD = 2,7 V à 3,65 V

■ Température industrielle : –40 C à +85 C

■ Boîtiers

❐ Boîtier de circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 broches

❐ Boîtier plat double mince sans fils (DFN) à 8 broches

■ Conforme à la restriction des substances dangereuses (RoHS)

Description fonctionnelle

Le FM24CL64B est une mémoire non volatile de 64 Kbit utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à une RAM. Elle offre une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les EEPROM et autres mémoires non volatiles.

Contrairement aux EEPROM, le FM24CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun délai d'écriture n'est encouru. Les données sont écrites dans la matrice mémoire immédiatement après que chaque octet a été transféré avec succès vers le dispositif. Le cycle de bus suivant peut commencer sans qu'il soit nécessaire d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. De plus, la F-RAM affiche une puissance beaucoup plus faible pendant les écritures que les EEPROM, car les opérations d'écriture ne nécessitent pas une tension d'alimentation interne élevée pour les circuits d'écriture. Le FM24CL64B est capable de prendre en charge 1014 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que les EEPROM.

Ces capacités rendent le FM24CL64B idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de l'enregistrement de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture des EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de fonctionnalités permet une écriture de données plus fréquente avec moins de frais généraux pour le système.

Informations

Dessin

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