IRF4905PBF
CARACTÉRISTIQUES
Technologie de traitement avancée
Ultra faible résistance à l'état passant
Indice dv/dt dynamique
Température de fonctionnement de 175°C
Commutation rapide
Canal P
Entièrement évalué en avalanche
Sans plomb
Description
Les HEXFETs de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs qui ont fait la renommée des MOSFET de puissance HEXFET, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier TO 220 contribuent à sa large acceptation dans l'industrie.
Informations
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Catégorie
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Fabricant
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Série
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Emballage
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Statut de la pièce
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Type de FET
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Technologie
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Tension drain-source (Vdss)
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Max)
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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Caractéristique FET
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Dissipation de puissance (Max)
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Température de fonctionnement
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Grade
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Qualification
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Type de montage
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Boîtier du dispositif fournisseur
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Boîtier / Boîtier
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Numéro de produit de base
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Dessin
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