Name: IRFHM9331TRPBF 30V MOSFET double N+P 5,3A/3,7A 0,045Ω/0,075Ω Rds(on) DFN-10 175°C AEC-Q101
Brand: TOP Electronic Industry Co., Ltd.
SKU: IRFHM9331TRPBF
Price: 364.05 USD
Availability: InStock

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Lieu d'origine:

Chine

Nom de marque:

Infineon

Certification:

CE, GCF, ROHS

Numéro de modèle:

IRFHM9331TRPBF

Quantité de commande min:

Prix:

negotiable

Détails d'emballage:

Emballé dans le plateau d'origine, puis en carton, enfin en sac à bulles pour l'emballage extérieur

Délai de livraison:

3-5 jours ouvrables après réception du paiement

Conditions de paiement:

T/T, Western Union,

Capacité d'approvisionnement:

1000 pièces par mois

Fonction:	Pas en avant, pas en arrière	Configuration de sortie:	Positif ou négatif
Topologie:	Mâle, poussée	Type de sortie:	Réglable
Nombre de sorties:	1
Mettre en évidence:	MOSFET à double N+P de 30 V , Le détecteur doit être situé à l'intérieur de l'appareil. , 5.3A 3.7A Rds ((on) MOSFET est utilisé

Catégorie	Produits à semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Série	HEXFETandreg;
Emballage	Ruban et bobine (TR)andnbsp; Ruban coupé (CTandnbsp;) Digi-Reelandnbsp;
Statut de la pièce	Actif
Type de FET	Canal P
Technologie	MOSFET (Oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25anddeg;C	11A (Ta), 24A (Tc)
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25andmicro;A
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max)	andplusmn;25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1543 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET	-
Dissipation de puissance (Max)	2.8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier du dispositif fournisseur	PQFN (3x3)
Boîtier / Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IRFHM9331

IRFHM9331TRPBF 30V MOSFET double N+P 5,3A/3,7A 0,045Ω/0,075Ω Rds(on) DFN-10 175°C AEC-Q101

IRFHM9331TRPBF 30V MOSFET double N+P 5,3A/3,7A 0,045Ω/0,075Ω Rds(on) DFN-10 175°C AEC-Q101

MOSFET à double N+P de 30 V

Le détecteur doit être situé à l'intérieur de l'appareil.

5.3A 3.7A Rds ((on) MOSFET est utilisé

Éclair de BRAS,

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