PD70101ILQ-TR 100V 4A MOSFET double 0,025Ω Rds(on) 175°C Max 32-VFQFN avec pastille thermique AEC-Q101 -55°C à +175°C Optimisé pour Buck synchrone

PD70101ILQ-TR

Caractéristiques

✅ Haute tension et courant

• Tension drain-source de 100 V pour les applications haute puissance

• Courant continu de 4 A avec une capacité de pointe plus élevée

✅ Très faible perte de conduction

• Rds(on) aussi bas que 0,025Ω (Vgs=10V), réduisant considérablement la génération de chaleur

✅ Fiabilité de qualité automobile

• Certifié AEC-Q101, répondant aux exigences automobiles strictes

• -55°C à +175°C plage de température de fonctionnement

✅ Conception de boîtier optimisée

• Boîtier DFN5x6-8L compact économise de l'espace sur le circuit imprimé

• Faible inductance parasite pour commutation haute fréquence

✅ Diode de corps rapide

• Faible charge de récupération inverse (Qrr) pour une efficacité de redressement synchrone améliorée

✅ Commande de niveau logique

• Vgs(th) aussi bas que 1,8 V, compatible avec le contrôle direct du MCU

Description

Le PD70101ILQ-TR est un MOSFET double N-canal 100V/4A haute performance dans un boîtier DFN5x6-8L avancé, optimisé pour la conversion de puissance à haut rendement et les systèmes électroniques automobiles. Avec une très faible résistance à l'état passant (0,025Ω) et des caractéristiques de commutation rapides, il est un choix idéal pour les convertisseurs abaisseurs synchrones, les entraînements de moteurs et les modules d'alimentation CC-CC

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PD70101

Dessin

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Liste de produits


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