Le DESSUS est un distributeur professionnel de composants électroniques en Chine.
nous offrons le service sur un seul point de vente de solution, des modules de communication, des antennes, de la carte PCB, du PCBA, et de tous les composants pour la carte PCB Bom.
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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Stabilité de la fréquence: | ± 50 ppm | Tolérance à la fréquence: | ± 30 ppm |
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| Température de fonctionnement: | -40 ° C ~ 85 ° C | Capacité de charge: | 18pF |
| Package / étui: | HC-49/US | Nom: | composants électroniques passifs |
| Mettre en évidence: | CSD17304Q3,CSD17304Q3 N-Channel NexFET,30V N-Channel NexFET |
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CSD17304Q3
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CARACTÉRISTIQUES
andbull; Optimisé pour une commande de grille de 5 V
andbull; Ultra-faible Qg et Qgd
andbull; Faible résistance thermique
andbull; Évalué en avalanche
andbull; Placage de bornes sans plomb
andbull; Conforme RoHS
andbull; Sans halogène
andbull; Boîtier plastique SON 3,3 mm x 3,3 mm
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APPLICATIONS
andbull; Point de charge pour ordinateur portable
andbull; Buck synchrone au point de charge dans
andnbsp;andnbsp;Réseaux, télécommunications et systèmes informatiques
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DESCRIPTION
Le CSD17304Q3 est un MOSFET de puissance NexFETandtrade; à canal N de 30 V de Texas Instruments (TI), doté d'un boîtier SON 3,3x3,3 mm. Conçu pour la conversion de puissance à haute intensité et à haut rendement, sa très faible Rds(on) (2,2 mΩ) et sa capacité de courant continu de 60 A le rendent idéal pour l'électronique automobile, les systèmes d'alimentation industriels et les entraînements de moteurs.
✔ 80 % plus petit que les boîtiers TO-220
✔ 60 % de perte de conduction en moins (par rapport aux MOSFET de 5 mΩ)
✔ Prend en charge la commutation PWM à 1 MHz
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INFORMATIONS
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Catégorie
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Mfr
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Série
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Emballage
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Ruban et bobine (TR)
Coupe de ruban (CT)
Digi-Reelandreg;
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Statut de la pièce
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Active
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Type de FET
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Technologie
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Tension drain-source (Vdss)
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30 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25anddeg;C
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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3V, 8V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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7.5mOhm @ 17A, 8V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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1.8V @ 250andmicro;A
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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6.6 nC @ 4.5 V
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Vgs (Max)
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+10V, -8V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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955 pF @ 15 V
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Fonctionnalité FET
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-
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Dissipation de puissance (Max)
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2.7W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grade
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Qualification
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-
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Type de montage
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Montage en surface
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
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Boîtier / Boîtier
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Numéro de produit de base
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Dessin
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1. 10 ans d'expérience dans les composants ; Service unique pour la liste BOM ; Service PCBandamp;PCBA.
2. Produire des antennes de communication, des câbles coaxiaux RF, des connecteurs RF, des bornes.
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Personne à contacter: Mrs. Natasha
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