Le DESSUS est un distributeur professionnel de composants électroniques en Chine.
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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Fonction: | Step-up, débarqueur | Configuration de sortie: | Positif ou négatif |
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| Topologie: | Buck, boost | Type de sortie: | Réglable |
| Nombre de sorties: | 1 | ||
| Mettre en évidence: | AON7534 MOSFET canal N,MOSFET 60A continu,MOSFET à chaîne N de 30 V |
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AON7534 30V MOSFET canal N 10,5 mΩ Rds(on) 60A continu DFN5x6-8L -55°C à +175°C AEC-Q101
Description générale
• Technologie MOSFET de puissance Trench
• RDS(on) très faible à 4,5 VGS
• Faible charge de grille
• Capacité de courant élevée
• Conforme RoHS et sans halogène
Application
• Convertisseurs CC/CC dans l'informatique, les serveurs et POL
• Convertisseurs CC/CC isolés dans les télécommunications et l'industrie
Caractéristiques
Commutation de puissance à haut rendement
Tension drain-source de 30 V : idéale pour les systèmes d'alimentation 12 V/24 V
Courant continu de 60 A (100 A pulsé) : prend en charge la commande de charge haute puissance
Perte de conduction ultra-faible
Rds(on)= 10,5 mΩ (Vgs=10V) : minimise la dissipation de puissance, augmente l'efficacité
Optimisation de la commutation haute fréquence
Faible charge de grille (Qg=38nC) : permet un contrôle PWM haute fréquence (jusqu'à 1 MHz)
Commutation rapide : temps de montée/descente <20 ns
Fiabilité et protection
Testé à 100 % en avalanche : assure la stabilité dans des conditions extrêmes
Certifié AEC-Q101 : répond aux normes de fiabilité de qualité automobile
Densité de puissance de pointe : le boîtier DFN5x6-8L est 80 % plus petit que le TO-220
Efficacité supérieure : 30 % de perte de conduction en moins par rapport aux MOSFET 15 mΩ
Large plage de températures : -55 °C à +175 °C pour les environnements difficiles
INFORMATION
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Catégorie
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Produits à semi-conducteurs discrets
Transistors
FET, MOSFET
FET uniques, MOSFET
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Mfr
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Série
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-
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Emballage
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Ruban et bobine (TR)
Ruban coupé (CT)
Digi-Reel®
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Statut de la pièce
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Non destiné aux nouvelles conceptions
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Type de FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain-source (Vdss)
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30 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25 °C
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20A (Ta), 30A (Tc)
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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5 mΩ @ 20 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,2 V @ 250 µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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22 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20 V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1037 pF @ 15 V
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Fonctionnalité FET
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-
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Dissipation de puissance (Max)
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3W (Ta), 23W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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Grade
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-
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Qualification
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-
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Type de montage
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Montage en surface
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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8-DFN-EP (3x3)
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Boîtier / Boîtier
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8-PowerVDFN
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Numéro de produit de base
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AON75
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Dessin
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Notre avantage :
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Liste de produits
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Forte en marque :
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