Aperçu Produits composants de circuit intégré

CSD18563Q5A MOSFET 60V 1,7mΩ RDS(on) 300A Courant Commutation Rapide Qualifié AEC-Q101 Performance Thermique Supérieure Boîtier D2PAK-7 pour Automobile and Alimentation

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CSD18563Q5A MOSFET 60V 1,7mΩ RDS(on) 300A Courant Commutation Rapide Qualifié AEC-Q101 Performance Thermique Supérieure Boîtier D2PAK-7 pour Automobile and Alimentation

Image Grand : CSD18563Q5A MOSFET 60V 1,7mΩ RDS(on) 300A Courant Commutation Rapide Qualifié AEC-Q101 Performance Thermique Supérieure Boîtier D2PAK-7 pour Automobile and Alimentation

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Chine
Nom de marque:	TI
Certification:	CE,ROHS
Numéro de modèle:	CSD18563Q5A

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1 pièce

Contact

Description de produit détaillée

Stabilité de fréquence:	± 50 ppm	Tolérance à la fréquence:	± 30 ppm
Température de fonctionnement:	-40°C à 85°C	Capacité de charge:	18pF
Paquet / Étui:	HC-49/US	name:	composants électroniques passifs
Mettre en évidence:	D2PAK-7 CSD18563Q5A MOSFET est utilisé , Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être utilisé. , Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de la pollution atmosphérique.

CSD18563Q5A MOSFET 60V 1,7mandOmega; RDS(on) 300A Courant Commutation Rapide Qualifié AEC-Q101 Performances Thermiques Supérieures Boîtier D2PAK-7 pour Automobile and Alimentation

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Caractéristiques

andbull; Qg et Qgd ultra-faibles

andbull; Diode de corps souple pour une réduction des oscillations

andbull; Faible résistance thermique

andbull; Évalué en avalanche

andbull; Niveau logique

andbull; Placage de bornes sans plomb

andbull; Conforme RoHS

andbull; Sans halogène

andbull; Boîtier plastique SON 5mmandtimes;6mm

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Applications

FET côté bas pour convertisseur Buck industriel

Redresseur synchrone côté secondaire

Contrôle moteur

andnbsp;

Description

Ce MOSFET de puissance NexFETandtrade; 5,7 mandOmega;, 60 V SON 5 mm andtimes; 6 mm a été conçu pour être associé au FET de contrôle CSD18537NQ5A et agir comme FET synchrone pour une solution complète de chipset de convertisseur Buck industriel.

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INFORMATIONS

Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FETs simples, MOSFETs	andnbsp;
Mfr	Texas Instruments	andnbsp;
Série	NexFETandtrade;	andnbsp;
Emballage	Ruban et bobine (TR) Coupe de ruban (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Statut de la pièce	Active	andnbsp;
Type de FET	Canal N	andnbsp;
Technologie	MOSFET (Oxyde métallique)	andnbsp;
Tension drain-source (Vdss)	60 V	andnbsp;
Courant - Drain continu (Id) @ 25anddeg;C	100A (Ta)	andnbsp;
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,8mOhm @ 18A, 10V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V @ 250andmicro;A	andnbsp;
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	andnbsp;
Vgs (Max)	andplusmn;20V	andnbsp;
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V	andnbsp;
Caractéristique FET	-	andnbsp;
Dissipation de puissance (Max)	3,2W (Ta), 116W (Tc)	andnbsp;
Température de fonctionnement	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Grade	-	andnbsp;
Qualification	-	andnbsp;
Type de montage	Montage en surface	andnbsp;
Boîtier du dispositif du fournisseur	8-VSONP (5x6)	andnbsp;
Boîtier / Boîtier	8-PowerTDFN	andnbsp;
Numéro de produit de base	CSD18563

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Dessin

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Personne à contacter: Mrs. Natasha

Téléphone: 86-13723770752

Télécopieur: 86-755-82815220

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