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Aperçu Produitscomposants de circuit intégré

FM24CL64B-GTR 64Kb F-RAM I2C avec 100 000 milliards de cycles d'écriture, temps d'accès de 150 ns, vitesse de 1 MHz, fonctionnement de 2,7-3,6 V, température industrielle et boîtier TSSOP 8 broches

LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications
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FM24CL64B-GTR 64Kb F-RAM I2C avec 100 000 milliards de cycles d'écriture, temps d'accès de 150 ns, vitesse de 1 MHz, fonctionnement de 2,7-3,6 V, température industrielle et boîtier TSSOP 8 broches

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Image Grand :  FM24CL64B-GTR 64Kb F-RAM I2C avec 100 000 milliards de cycles d'écriture, temps d'accès de 150 ns, vitesse de 1 MHz, fonctionnement de 2,7-3,6 V, température industrielle et boîtier TSSOP 8 broches

Détails sur le produit:
Place of Origin: China
Nom de marque: Infineon
Certification: CE, GCF, ROHS
Model Number: FM24CL64B-GTR
Conditions de paiement et expédition:
Minimum Order Quantity: 1
Prix: negotiable
Packaging Details: Packed in original tray firstly ,then carton, at last Bubble bag for outer packing
Delivery Time: 3-5 working days after received the payment
Payment Terms: T/T, Western Union,
Supply Ability: 1000pcs per month
Description de produit détaillée
Function: Step-Up, Step-Down Output Configuration: Positive or Negative
Topology: Buck, Boost Output Type: Adjustable
Number of Outputs: 1

FM24CL64B-GTR 64Kb I2C F-RAM avec 100 000 milliards de cycles d'écriture, temps d'accès de 150 ns, vitesse de 1 MHz, fonctionnement de 2,7 à 3,6 V, température industrielle et TSSOP à 8 broches

 

Fonctionnalités

■ Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 Kbit, organisée logiquement en 8 K × 8

  ❐ Endurance élevée : 100 000 milliards (1014) lectures/écritures

  ❐ Rétention des données de 151 ans (voir Rétention des données et endurance à la page 10)

  ❐ Écritures NoDelay™

  ❐ Processus ferroélectrique avancé à haute fiabilité

■ Interface série rapide à 2 fils (I2C)

  ❐ Fréquence jusqu'à 1 MHz

  ❐ Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)

  ❐ Prend en charge les temporisations héritées pour 100 kHz et 400 kHz

■ Faible consommation d'énergie

  ❐ 100 A (typique) courant actif à 100 kHz

  ❐ 3 A (typique) courant de veille

■ Tension de fonctionnement : VDD = 2,7 V à 3,65 V

■ Température industrielle : –40 C à +85 C

■ Boîtiers

  ❐ Boîtier de circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 broches

  ❐ Boîtier plat double mince sans fils (DFN) à 8 broches

■ Conformité à la restriction des substances dangereuses (RoHS)

 

Applications

Automatisation industrielle

Enregistrement de données en temps réel (par exemple, journaux de capteurs, état des équipements)

Stockage des paramètres de la chaîne de production (prend en charge les écritures à haute fréquence)

Protection contre les pannes (enregistrement des données critiques en cas de perte de courant soudaine)

Compteurs intelligents

Stockage des données de mesure d'énergie (prend en charge des milliers d'écritures quotidiennes)

Journaux de modification des tarifs

Enregistrement d'événements inviolable

Électronique automobile

Enregistrement des données de conduite (boîte noire)

Stockage des paramètres de l'ECU

Informations sur le kilométrage et l'entretien

Appareils médicaux

Enregistrement des données de surveillance des patients

Journaux d'utilisation des équipements

Stockage des paramètres d'étalonnage

Appareils IoT

Mise en mémoire tampon des données de l'informatique de pointe

Sauvegarde de la mise à jour du micrologiciel

Stockage des paramètres de configuration

Électronique grand public

Mémoire d'état des appareils intelligents

Suivi de l'activité des appareils portables

Sauvegarde de la progression du jeu en temps réel

 

Description

Le FM24CL64B est une mémoire non volatile de 64 Kbit utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à une RAM. Elle offre une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les EEPROM et autres mémoires non volatiles.

Contrairement aux EEPROM, le FM24CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun délai d'écriture n'est encouru. Les données sont écrites dans la matrice mémoire immédiatement après que chaque octet est transféré avec succès vers l'appareil. Le cycle de bus suivant peut commencer sans qu'il soit nécessaire d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. De plus, la F-RAM affiche une puissance beaucoup plus faible pendant les écritures que les EEPROM, car les opérations d'écriture ne nécessitent pas une tension d'alimentation interne élevée pour les circuits d'écriture. Le FM24CL64B est capable de prendre en charge 1014 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que les EEPROM.

Ces capacités rendent le FM24CL64B idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de l'enregistrement de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux commandes industrielles exigeantes où le long temps d'écriture des EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de fonctionnalités permet une écriture de données plus fréquente avec moins de frais généraux pour le système.

Le FM24CL64B offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM série (I2C) en tant que remplacement matériel direct. Les spécifications de l'appareil sont garanties sur une plage de températures industrielles de –40 C à +85 C.

 

INFORMATIONS

Catégorie
Mfr
Série
Emballage
Ruban et bobine (TR)
Ruban coupé (CT)
Digi-Reel®
Statut de la pièce
Active
Programmable DigiKey
Vérifié
Type de mémoire
Non volatile
Format de mémoire
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire
Organisation de la mémoire
8 K x 8
Interface mémoire
I2C
Fréquence d'horloge
1 MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, Page
-
Temps d'accès
550 ns
Tension - Alimentation
2,7 V ~ 3,65 V
Température de fonctionnement
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier / Boîtier
Boîtier du dispositif du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base

 

Dessin

FM24CL64B-GTR 64Kb F-RAM I2C avec 100 000 milliards de cycles d'écriture, temps d'accès de 150 ns, vitesse de 1 MHz, fonctionnement de 2,7-3,6 V, température industrielle et boîtier TSSOP 8 broches 0

Notre avantage :

  • Produits de haute qualité --- nos offres sont 100 % neuves et originales, ROHS
  • Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
  • Service professionnel --- tests de qualité stricts avant l'expédition et service après-vente parfait après l'achat.
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Liste de produits
Fournir une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, de composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à obtenir tout pour la nomenclature du PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,


Les offres comprennent :
Circuit intégré, CI de mémoire, Diode, Transistor, Condensateur, Résistance, Varistance, Fusible, Potentiomètre et potentiomètre, Transformateur, Batterie, Câble, Relais, Interrupteur, Connecteur, Bornier, Cristal et oscillateur, Inducteur, Capteur, Transformateur, Driver IGBT, LED, LCD, Convertisseur, PCB (circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Forte en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

Coordonnées
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Personne à contacter: Mrs. Natasha

Téléphone: 86-13723770752

Télécopieur: 86-755-82815220

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