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Aperçu Produitscomposants de circuit intégré

FM24CL04B-G FRAM 4 Kb 5 V avec endurance illimitée, écriture sans délai de 150 ns, interface I2C 1 MHz, 10^14 cycles lecture/écriture, faible courant de veille de 50 µA et rétention des données de 40 ans

LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications
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FM24CL04B-G FRAM 4 Kb 5 V avec endurance illimitée, écriture sans délai de 150 ns, interface I2C 1 MHz, 10^14 cycles lecture/écriture, faible courant de veille de 50 µA et rétention des données de 40 ans

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Image Grand :  FM24CL04B-G FRAM 4 Kb 5 V avec endurance illimitée, écriture sans délai de 150 ns, interface I2C 1 MHz, 10^14 cycles lecture/écriture, faible courant de veille de 50 µA et rétention des données de 40 ans

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: Infineon
Certification: CE, GCF, ROHS
Numéro de modèle: FM24CL04B-G
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: negotiable
Détails d'emballage: Emballé dans un plateau d'origine d'abord, puis Carton, enfin un sac à bulles pour l'emb
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Conditions de paiement: T / T, Western Union,
Capacité d'approvisionnement: 1000pcs par mois
Description de produit détaillée
Fonction: Step-up, débarqueur Configuration de sortie: Positif ou négatif
Topologie: Buck, boost Type de sortie: Réglable
Nombre de sorties: 1
Mettre en évidence:

FRAM 5 V avec endurance illimitée

,

Mémoire FRAM à interface I2C

,

FRAM à faible courant de veille

FM24CL04B-G 4KB 5V FRAM avec endurance illimitée 150ns sans retard écrit l'interface 1MHz I2C 10 ^ 14 cycles de lecture / écriture bas 50 μA de réserve de secours et de rétention de données de 40 ans
Attributs du produit
Attribut Valeur
Fonction Step-up, débarqueur
Configuration de sortie Positif ou négatif
Topologie Buck, boost
Type de sortie Réglable
Nombre de sorties 1
Description du produit

FM24CL04B-G 4KB 5V FRAM AVEC ENDURTION INDIMITE 150NS NO-DELAY Écrit 1 MHz I2C Interface 10 ^ 14 Cycles de lecture / écriture bas 50 μA Current de veille et rétention de données de 40 ans

Caractéristiques
  • Mémoire d'accès aléatoire ferroélectrique de 4 kbit (F-RAM) Logiquement organisé comme 512 × 8
    • 100 billions à haute endurance (1014) lire / écrire
    • Rétention des données de 151 ans (voir la rétention des données et l'endurance à la page 10)
    • Nodelay ™ écrit
    • Processus ferroélectrique avancé de haute fiabilité
  • Interface série rapide à 2 fils (I2C)
    • Fréquence jusqu'à 1 MHz
    • Remplacement du matériel direct pour EEPROM en série (I2C)
    • Prend en charge les horaires hérités pour 100 kHz et 400 kHz
  • Faible consommation d'énergie
    • 100 μA de courant actif à 100 kHz
    • Courant de veille de 3 μA (TYP)
  • Fonctionnement de tension: VDD = 2,7 V à 3,65 V
  • Température industrielle: -40 ℃ à + 85 ℃
  • Ensemble Circuit intégré à 8 broches (SOIC)
  • Restriction des substances dangereuses (ROHS) conformes
Description

Le FM24CL04B est une mémoire non volatile de 4 kbit utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire d'accès aléatoire ferroélectrique ou F-Ram est non volatile et effectue des lectures et écrit similaires à un RAM. Il fournit une rétention fiable des données pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres souvenirs non volatils.

Contrairement à EEPROM, le FM24CL04B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture n'est encouru. Les données sont écrites dans le tableau de mémoire immédiatement après que chaque octet soit transféré avec succès sur l'appareil. Le prochain cycle de bus peut commencer sans avoir besoin de sondage de données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport à d'autres souvenirs non volatils. De plus, F-Ram présente une puissance beaucoup plus faible pendant les écritures que l'EEPROM, car les opérations d'écriture ne nécessitent pas une tension d'alimentation élevée en interne pour les circuits d'écriture. Le FM24CL04B est capable de prendre en charge 1014Les cycles de lecture / écriture, ou 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que l'EEPROM.

Ces capacités rendent le FM24CL04B idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de la journalisation des données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, à des contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture de l'EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de fonctionnalités permet une écriture de données plus fréquente avec moins de frais généraux pour le système.

Le FM24CL04B offre des avantages substantiels aux utilisateurs de l'EEPROM en série (I2C) en tant que remplacement du matériel. Les spécifications de l'appareil sont garanties sur une plage de température industrielle de -40 ° C à + 85 ° C.

Pour une liste complète de la documentation connexe,Cliquez ici.

Information
Catégorie Circuits intégrés (CI) Mémoire Mémoire
MFR Infineon Technologies
Série F-RAM ™
Conditionnement Tube
Statut de partie Actif
Digikey programmable Non vérifié
Type de mémoire Non volatile
Format de mémoire Fracture
Technologie Fram (Ferroelectric RAM)
Taille de la mémoire 4kbit
Organisation de mémoire 512 x 8
Interface de mémoire I2C
Fréquence d'horloge 1 MHz
Écrivez le temps du cycle - mot, page -
Heure d'accès 550 ns
Tension - alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Type de montage Support de surface
Package / étui 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largeur)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base FM24CL04
Dessin
FM24CL04B-G FRAM 4 Kb 5 V avec endurance illimitée, écriture sans délai de 150 ns, interface I2C 1 MHz, 10^14 cycles lecture/écriture, faible courant de veille de 50 µA et rétention des données de 40 ans 0
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Les offres, notamment:

Circuit intégré, ICM de mémoire, diode, transistor, condensateur, résistance, varistor, fusible, tonde

Strong dans la marque:

Microchip, Max, Ad, Ti, Atmel, St, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, Fairchild, Omron, Yageo, TDK, etc.

Coordonnées
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Personne à contacter: Mrs. Natasha

Téléphone: 86-13723770752

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