FM24CL04B-G FRAM 4 Kb 5 V avec endurance illimitée, écriture sans délai de 150 ns, interface I2C 1 MHz, 10^14 cycles lecture/écriture, faible courant de veille de 50 µA et rétention des données de 40 ans

FM24CL04B-G FRAM 4 Ko 5 V avec endurance illimitée 150 ns d'écriture sans délai Interface I2C 1 MHz 10 ^ 14 cycles de lecture/écriture Faible courant de veille de 50 μA et conservation des données de 40 ans

• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 Kbits organisée logiquement en 512 × 8
  • Haute endurance 100 000 milliards (10¹⁴) lecture/écriture
  • Conservation des données pendant 151 ans (voir Conservation et endurance des données à la page 10)
  • NoDelay™ écrit
  • Processus ferroélectrique avancé de haute fiabilité
• Interface série rapide à 2 fils (I2C)
  • Fréquence jusqu'à 1 MHz
  • Remplacement matériel direct pour l'EEPROM série (I2C)
  • Prend en charge les timings existants pour 100 kHz et 400 kHz
• Faible consommation d'énergie
  • Courant actif de 100 μA à 100 kHz
  • Courant de veille de 3 μA (type)
• Fonctionnement en tension : VDD = 2,7 V à 3,65 V
• Température industrielle : -40℃ à +85℃
• Boîtier de circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 broches
• Conforme à la restriction des substances dangereuses (RoHS)

Le FM24CL04B est une mémoire non volatile de 4 Ko utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il assure une conservation fiable des données pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

Contrairement à l'EEPROM, le FM24CL04B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d’écriture n’est encouru. Les données sont écrites dans la matrice mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers l'appareil. Le cycle de bus suivant peut commencer sans qu'il soit nécessaire d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. En outre, la F-RAM présente une puissance d'écriture bien inférieure à celle de l'EEPROM, car les opérations d'écriture ne nécessitent pas de tension d'alimentation interne élevée pour les circuits d'écriture. Le FM24CL04B est capable de prendre en charge 10¹⁴cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que l'EEPROM.

Ces capacités rendent le FM24CL04B idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de l'enregistrement de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture de l'EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de fonctionnalités permet une écriture de données plus fréquente avec moins de surcharge pour le système.

Le FM24CL04B offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM série (I2C) en tant que remplacement matériel. Les spécifications de l'appareil sont garanties sur une plage de températures industrielles de -40°C à +85°C.

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