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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Fonction: | Step-up, débarqueur | Configuration de sortie: | Positif ou négatif |
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| Topologie: | Buck, boost | Type de sortie: | Réglable |
| Nombre de sorties: | 1 | ||
| Mettre en évidence: | MOSFET à canal double N+P,20V,SOIC-8 |
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| Fonction | Élévation, Abaissement |
| Configuration de sortie | Positive ou Négative |
| Topologie | Buck, Boost |
| Type de sortie | Réglable |
| Nombre de sorties | 1 |
Ce MOSFET de puissance HEXFET® présente une configuration à canal N+P double avec un courant nominal de ±5,3 A et une tension de 20 V dans un boîtier SOIC-8. Avec une Rds(on) ultra-faible de 0,045Ω et un niveau logique de 1,8 V, il offre une commutation rapide et un rendement élevé pour les applications de gestion de l'alimentation tout en économisant de l'espace.
| Catégorie | Produits à semi-conducteurs discrets > Transistors > FET, MOSFET |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Emballage | Ruban et bobine (TR) Ruban coupé (CT) Digi-Reel® |
| Statut de la pièce | Obsolète |
| Type de FET | Canal P |
| Technologie | MOSFET (Oxyde métallique) |
| Tension drain-source (Vdss) | 12 V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 11,5 A (Tc) |
| Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8 V, 4,5 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11,5 A, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 4,5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| Dissipation de puissance (Max) | 2,5 W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier du dispositif du fournisseur | 8-SO |
| Boîtier / Boîtier | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur) |
| Numéro de produit de base | IRF7420 |
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