IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 SRAM haute vitesse 10ns 3.3V Fonctionnement Basse consommation Température industrielle (-40°C à +85°C) Boîtier BGA 48 billes Fonctionnement asynchrone Haute fiabilité Rétention des données

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 SRAM haute vitesse 10ns 3.3V Fonctionnement Basse consommation Température industrielle (-40°C à +85°C) Boîtier BGA 48 billes Fonctionnement asynchrone Haute fiabilité Rétention des données

CARACTÉRISTIQUES

• Temps d'accès rapides : 8, 10, 20 ns

• Processus CMOS haute performance et basse consommation

• Plusieurs broches centrales d'alimentation et de masse pour une meilleure immunité au bruit

• Extension de mémoire facile avec les options CE et OE

• Mise hors tension CE

• Fonctionnement entièrement statique : aucune horloge ni rafraîchissement requis

• Entrées et sorties compatibles TTL

• Alimentation unique

  Vdd 1,65 V à 2,2 V (IS61WV102416ALL)

  vitesse = 20ns pour

  Vdd 1,65 V à 2,2 V Vdd 2,4 V à 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)

  vitesse = 10ns pour Vdd 2,4 V à 3,6 V

  vitesse = 8ns pour Vdd 3,3 V + 5%

• Boîtiers disponibles :

   – miniBGA 48 billes (9 mm x 11 mm)

   – TSOP 48 broches (Type I)

• Support de température industrielle et automobile

• Sans plomb disponible

• Contrôle des données pour les octets supérieurs et inférieurs

Applications

1 : Automatisation industrielle (API, robotique)

2 : Électronique automobile (ECU, ADAS)

3 : Équipement réseau (routeurs, commutateurs)

4 : Systèmes embarqués (traitement audio/vidéo, aérospatial)

5 : Mise en mémoire tampon/mise en cache de données à haute vitesse

Description

Les ISSI IS61WV102416ALL/BLL et IS64WV102416BLL sont des SRAM statiques haute vitesse de 16 Mbits organisées en 1024K mots de 16 bits. Elles sont fabriquées à l'aide de la technologie CMOS haute performance d'ISSI. Ce processus très fiable, associé à des techniques de conception de circuits innovantes, donne des dispositifs haute performance et à faible consommation d'énergie.

Lorsque CE est HIGH (désélectionné), le dispositif passe en mode veille, ce qui permet de réduire la dissipation de puissance avec des niveaux d'entrée CMOS.

L'extension de mémoire facile est assurée par l'utilisation des entrées Chip Enable et Output Enable, CE et OE. Le Write Enable (WE) actif LOW contrôle à la fois l'écriture et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'accès aux octets supérieurs (UB) et inférieurs (LB).

Le dispositif est conditionné dans le TSOP de type I à 48 broches standard JEDEC et le Mini BGA à 48 broches (9 mm x 11 mm).

INFORMATIONS

Dessin

Notre avantage :téléphones, PDA et ordinateurs portables

• Produits de haute qualité --- nos offres sont 100 % neuves et originales, ROHS
• Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
• Service professionnel --- tests de qualité stricts avant l'expédition et service après-vente parfait après l'achat.
• Inventaire adéquat --- Avec le soutien de notre solide équipe d'achat,
• Livraison rapide --- nous expédierons les marchandises dans les 1 à 3 jours ouvrables après la confirmation du paiement.

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Liste de produits
Fournir une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, de composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à tout obtenir pour la nomenclature du PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,


Les offres comprennent :
Circuit intégré, CI de mémoire, Diode, Transistor, Condensateur, Résistance, Varistance, Fusible, Potentiomètre et potentiomètre, Transformateur, Batterie, Câble, Relais, Interrupteur, Connecteur, Bornier, Cristal et oscillateur, Inducteur, Capteur, Transformateur, Driver IGBT, LED, LCD, Convertisseur, PCB (circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Forte en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.