STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

STP55NF06FP 55A 60V MOSFET à alimentation N-canal avec etlt;0.02andOmega; RDS ((on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge pour un contrôle efficace de la puissance

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Caractéristiques

1:Résistance à l'allumage faible (RDS basse)): Résistance maximale d'allumage extrêmement faible de0.02 et Omega;(à Vgs=10V), réduisant les pertes de conduction, améliorant l'efficacité et minimisant la production de chaleur.

2Traitement du courant élevé: Capables de transporter jusqu'à55Acourant de vidange continu, avec une capacité de courant d'impulsion encore plus élevée, ce qui le rend approprié pour des applications à haute puissance.

3Le moteur de la porte de niveau logique: basse tension de seuil (Vgs(th) généralement2V à 4V), ce qui lui permet ded'une puissance de sortie supérieure ou égale à 50 W(par exemple, Arduino, STM32) sans nécessiter de circuits de déplacement de niveau.

4: Vitesse de commutation rapideOptimisé pour les applications de commutation à haute fréquence, telles que le contrôle du moteur SMPS et PWM, réduisant les pertes de commutation.

5:Paquet entièrement isolé (TO-220FP FullPak): L'encapsulation TO-220FP enferme entièrement le dissipateur de chaleur métallique, fournissantisolation amélioréeetnbsp;et la sécuritétout en simplifiant l'assemblage en éliminant le besoin de coussinets isolants supplémentaires.

6Rating de haute tension: Voltage de la source de vidange (Vds) de référence60 V, offrant une marge suffisante pour les systèmes de 12V, 24V et plus élevés.

7Une conception robuste:Avalanche classée, assurant la durabilité sous les surtensions d'énergie résultant de la commutation de charge inductive (par exemple, moteurs, relais).

8La charge de la porte inférieure (Qg): La faible charge totale de la porte réduit les exigences de conduite et permet une commutation efficace à grande vitesse.

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Applications

■ Changement d'application

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Définition

Ces Power MOSFET ont été développés à l'aide du procédé unique de STripFET de STMicroelectronics, qui est spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de la porte.Cela rend les dispositifs adaptés à une utilisation comme interrupteur principal dans les convertisseurs DC DC isolés à haut rendement pour les télécommunications et les applications informatiques, et les applications avec des exigences de conduite à faible charge.

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Les informations sont fournies à la Commission.

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Le dessin

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Une marque forte:
Il s'agit notamment de l'équipement de base pour la fabrication des produits de base.