FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM avec 20MHz SPI No-Delay Writes 10^14 Endurance 151 ans de conservation des données 2.0-3.6V Opération de -40°C à +85°C et petit paquet SOIC

FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM avec 20MHz SPI No-Delay Writes 10^14 Endurance 151 ans de conservation des données 2.0-3.6V Opération de -40°C à +85°C et petit paquet SOIC

Caractéristiques

■ mémoire d'accès aléatoire ferroélectrique (F-RAM) de 64 Kb organisée logiquement en 8K × 8

Réservation des données pendant 151 ans (voir Réservation et durabilité des données à la page 12)

NoDelayTM écrit

¢ procédé ferroélectrique avancé à haute fiabilité

■ Interface périphérique série très rapide (SPI)

¢ jusqu'à 20 MHz de fréquence

¢ Remplacement direct du matériel pour le flash série et la EEPROM

Supporte le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)

■ Système sophistiqué de protection de l'écriture

Protection du matériel à l'aide de la broche Write Protect (WP)

Protection du logiciel à l'aide de l'instruction Write Disable

Protection des blocs logiciels pour 1/4, 1/2 ou tout le tableau

■ Faible consommation électrique

Le courant actif à 1 MHz est de 200 A

Le courant de veille de type 3A

■ Fonctionnement à basse tension: VDD = 2,7 V à 3,65 V

■ Température industrielle: de 40 °C à + 85 °C

■ Paquetage

¢ Un ensemble de circuits intégrés à contour petit à 8 broches (SOIC)

■ Restriction des substances dangereuses (RoHS)

Applications

1Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels

Des exemples: PLC (contrôleurs logiques programmables), capteurs intelligents, moteurs, robots industriels.

Pourquoi c'est approprié: Ces systèmes doivent enregistrer continuellement et rapidement les paramètres opérationnels, les journaux d'événements, les données de défaillance ou les chiffres de production.écrit sans délai pour s'assurer que les données critiques sont sauvegardées complètement même au moment de la perte de courant, empêchant la perte de données due à des retards d'écriture.

2. électronique automobile

Des exemples: Enregistreurs de données d'événements (EDR) dans les ADAS, boîtes noires automobiles, groupes d'instruments, modules de contrôle du corps.

Pourquoi c'est approprié: nécessite une saisie instantanée de grandes quantités de données du capteur en cas d'accident ou de perte de courant soudaine.Sa haute résistance convient également pour les données fréquemment mises à jour comme le kilométrage ou le nombre de portes ouvertes / fermées.

3. Équipement médical

Des exemples: Moniteurs médicaux portables (par exemple, glucomètres, détecteurs de fréquence cardiaque), dispositifs implantables, équipements de diagnostic.

Pourquoi c'est approprié: Les dispositifs doivent enregistrer de manière fiable les données des patients, les journaux d'utilisation et les informations d'étalonnage.La faible consommation d'énergie et la fiabilité élevée de la F-RAM sont essentielles à la sécurité des données et au fonctionnement stable à long terme.

4Systèmes de mesure et de mesure intelligents

Des exemples: compteurs d'électricité intelligents, compteurs d'eau, compteurs de gaz.

Pourquoi c'est approprié: nécessite la mise à jour des données d'utilisation cumulée toutes les quelques secondes et l'enregistrement de la valeur finale immédiatement avant la perte de courant.Les écritures fréquentes quotidiennes sont un défi important pour l'EEPROM, mais pas pour la F-RAM.

5. Enregistreurs de données

Des exemples: surveillance de l'environnement (température, humidité, enregistreurs de pression), détecteurs GPS.

Pourquoi c'est approprié: Ces applications nécessitent un enregistrement continu des flux de données à haute fréquence.La vitesse d'écriture élevée et l'endurance infinie de la F-RAM permettent un enregistrement de données sans faille sans risque de perte de données ou de goulets d'étranglement causés par les retards d'écriture inhérents à l'EEPROM.

6Électronique grand public

Des exemples: équipement audio professionnel, hubs pour la maison intelligente, périphériques de jeu.

Pourquoi c'est approprié: Lorsque l'enregistrement rapide des paramètres de l'utilisateur, de l'état du jeu ou des données du capteur en temps réel est nécessaire, la F-RAM offre une expérience plus fluide et plus fiable que l'EEPROM.

Définition

La FM25CL64B est une mémoire non volatile de 64 Kbits utilisant un procédé ferroélectrique avancé.Il offre une conservation fiable des données pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par le flash en série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

Contrairement au flash série et à l'EEPROM, le FM25CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus.Les données sont écrites à la matrice de mémoire immédiatement après chaque octet est transférée avec succès à l'appareil. Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'un sondage de données. En outre, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport à d'autres mémoires non volatiles.Le FM25CL64B peut supporter 1014 cycles de lecture/écriture, ou 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que EEPROM.

Ces capacités rendent le FM25CL64B idéal pour les applications de mémoire non volatile nécessitant des écritures fréquentes ou rapides.lorsque le nombre de cycles d'écriture peut être critique, à des contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture d'un flash série ou d'une EEPROM peut entraîner une perte de données.

Le FM25CL64B offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM ou de flash en série en tant que remplacement matériel.qui améliore la capacité d'écriture à grande vitesse de la technologie F-RAMLes spécifications de l'appareil sont garanties sur une plage de température industrielle comprise entre 40 °C et + 85 °C.

Les informations sont fournies à la Commission.

Le dessin

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