FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM avec 20MHz SPI No-Delay Writes 10^14 Endurance 151 ans de conservation des données 2.0-3.6V Opération de -40°C à +85°C et petit paquet SOIC

FM25CL64B-GTR Mémoire F-RAM série 64Kb avec SPI 20MHz, écritures sans délai, endurance 10^14, rétention des données 151 ans, fonctionnement 2.0-3.6V, -40°C à +85°C et petit boîtier SOIC

Caractéristiques

• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 Kbits, organisée logiquement en 8K × 8

  ➔ Endurance élevée de 100 000 milliards (10^14) lectures/écritures

  ➔ Rétention des données de 151 ans (Voir Rétention des données et Endurance à la page 12)

  ➔ Écritures NoDelay™

  ➔ Processus ferroélectrique avancé à haute fiabilité

• Interface périphérique série (SPI) très rapide

  ➔ Jusqu'à 20 MHz de fréquence

  ➔ Remplacement matériel direct pour la mémoire flash série et l'EEPROM

  ➔ Prend en charge les modes SPI 0 (0, 0) et 3 (1, 1)

• Schéma de protection en écriture sophistiqué

  ➔ Protection matérielle utilisant la broche Write Protect (WP)

  ➔ Protection logicielle utilisant l'instruction Write Disable

  ➔ Protection logicielle par blocs pour 1/4, 1/2 ou l'ensemble du tableau

• Faible consommation d'énergie

  ➔ 200 µA de courant actif à 1 MHz

  ➔ 3 µA (typ) de courant de veille

• Fonctionnement basse tension : VDD = 2,7 V à 3,65 V

• Température industrielle : –40 °C à +85 °C

• Boîtiers

  ➔ Boîtier de circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 broches

  ➔ Boîtier plat double mince sans fils (DFN) à 8 broches

• Conforme à la restriction des substances dangereuses (RoHS)

Applications

1. Automatisation industrielle et systèmes de contrôle

CatégoriePourquoi c'est adapté : Ces systèmes doivent enregistrer en continu et rapidement les paramètres de fonctionnement, les journaux d'événements, les données de défauts ou les comptages de production. L'endurance ultra-élevée et les écritures rapides et sans délai de la F-RAM garantissent que les données critiques sont enregistrées complètement, même au moment d'une perte de courant, évitant ainsi la perte de données due aux délais d'écriture.

MémoireExemples : Enregistreurs de données d'événements (EDR) dans les systèmes ADAS, boîtes noires automobiles, tableaux de bord, modules de commande de carrosserie.

Pourquoi c'est adapté : Nécessite l'enregistrement instantané de grandes quantités de données de capteurs lors d'un accident ou d'une perte de courant soudaine. La caractéristique d'écriture rapide de la F-RAM est idéale. Sa haute endurance convient également aux données fréquemment mises à jour comme le kilométrage ou les comptages d'ouverture/fermeture de portes.

CatégorieExemples : Moniteurs médicaux portables (par exemple, glucomètres, moniteurs de fréquence cardiaque), dispositifs implantables, équipements de diagnostic.

Mémoire4. Systèmes de comptage et de mesure intelligents

Exemples : Compteurs d'électricité intelligents, compteurs d'eau, compteurs de gaz.

Catégorie5. Enregistreurs de données

MémoirePourquoi c'est adapté : Ces applications nécessitent l'enregistrement continu de flux de données à des fréquences élevées. La vitesse d'écriture élevée et l'endurance infinie de la F-RAM permettent un enregistrement de données transparent sans risque de perte de données ou de goulots d'étranglement causés par les délais d'écriture inhérents à l'EEPROM.

6. Électronique grand public haut de gamme

CatégoriePourquoi c'est adapté : Lorsqu'il est nécessaire d'enregistrer rapidement les paramètres utilisateur, l'état du jeu ou les données de capteurs en temps réel, la F-RAM offre une expérience plus fluide et plus fiable que l'EEPROM.

MémoireDescription

Le FM25CL64B est une mémoire non volatile de 64 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à une RAM. Elle offre une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

CatégorieCes capacités rendent le FM25CL64B idéal pour les applications de mémoire non volatile nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de la collecte de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux commandes industrielles exigeantes où le long temps d'écriture de la mémoire flash série ou de l'EEPROM peut entraîner une perte de données.

Mémoire 

INFORMATIONS

CatégorieCircuits intégrés (CI)

MémoireMémoire

Mfr

Infineon Technologies

Série

F-RAM™

Conditionnement

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