MOSFET à puissance ultra-faible de 0,0015Ω en double PQFN avec Avalanche Rating AEC-Q101 175 °C -40V/-30V Niveau logique et sans halogène pour une conversion de puissance à haut rendement

MOSFET de puissance ultra-bas 0,0015Ω en double PQFN avec classification Avalanche AEC-Q101 175°C -40V/-30V Niveau logique et sans halogène pour la conversion de puissance à haut rendement

Caractéristiques

Impédance de grille ultra-basse

Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés

20V VGS Max. Classement de grille

Applications

MOSFET redresseur synchrone pour convertisseurs DC-DC isolés

Systèmes d'entraînement de moteur à faible puissance

Description

L'IRF7351TRPBF est un MOSFET double N-canal haute performance d'Infineon Technologies, intégré dans un boîtier PQFN compact de 5x6 mm. Il est spécialement conçu pour les convertisseurs abaisseurs synchrones et autres applications de gestion de l'alimentation qui exigent un rendement élevé et une densité de puissance élevée.

INFORMATION

Dessin

Notre avantage :téléphones, PDA, ordinateurs portables

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Liste de produits
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Les offres comprennent :
Circuit intégré, circuits intégrés de mémoire, diode, transistor, condensateur, résistance, varistance, fusible, potentiomètre et potentiomètre, transformateur, batterie, câble, relais, interrupteur, connecteur, bornier, cristal et oscillateur, inductance, capteur, transformateur, pilote IGBT, LED, LCD, convertisseur, PCB (carte de circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Fort en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.