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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Voltage nominal C.A.I.C.: | 690 V | Estimation d'ampère: | 125 A |
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| Conforme RoHS: | Oui | Largeur du produit: | 40 mm |
| Durée du produit: | 135 mm | Hauteur du produit: | 64 millimètres |
| Mettre en évidence: | Module de puissance IGBT 1200V 50A,Module IGBT à configuration double avec NTC,Module IGBT industriel pour entraînements de moteurs |
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BSM50GD120DN2E3226 Module IGBT 1200V/50A Configuration Double Faible VCE(sat) Commutation Haute Vitesse Faibles Pertes Thermiques NTC Intégré Plaque de Base Isolée Qualité Industrielle pour Entraînements Moteurs & Onduleurs Solaires
Caractéristiques
Tension/Courant Nominale : 1200 V / 50 A
Configuration : Double IGBT
Faible Tension de Saturation : VCE(sat) pour réduire les pertes par conduction.
Faibles Pertes de Commutation : Optimisé pour un fonctionnement à haute fréquence.
Thermistance NTC Intégrée : Permet la protection et la surveillance thermiques.
Plaque de Base Isolée : Facilite le montage du dissipateur thermique et améliore la sécurité.
Haute Fiabilité : Longévité et robustesse de qualité industrielle.
Faible Impédance Thermique : Dissipation thermique efficace.
Applications
Onduleurs Solaires : Utilisé dans l'étage de conversion de puissance des systèmes photovoltaïques résidentiels et commerciaux.
Alimentations Sans Interruption (ASI) : Employé dans la section onduleur des systèmes ASI en ligne et interactifs.
Entraînements de Moteurs Industriels : Pour contrôler les moteurs AC dans les pompes, les ventilateurs et les compresseurs.
Équipement de Soudage : Fournit le cœur de commutation pour les machines à souder industrielles.
Chauffage par Induction : Utilisé dans les circuits de puissance des systèmes de chauffage et de fusion par induction.
Description
Le BSM50GD120DN2E3226 est un module IGBT double haute puissance conçu pour des performances robustes dans les applications de conversion d'énergie exigeantes. Il est nominal pour 1200V et 50A, offrant un étage de puissance fiable pour les systèmes de moyenne à haute puissance. Le module est conçu pour un rendement élevé, avec une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) et optimisé pour de faibles pertes de commutation.
Ce module comprend des fonctionnalités intégrées essentielles telles qu'une thermistance NTC pour une surveillance précise de la température et une plaque de base isolée pour une gestion thermique simplifiée et sûre. Sa construction de qualité industrielle assure une grande fiabilité et une stabilité à long terme dans des conditions de fonctionnement rigoureuses, ce qui en fait une pierre angulaire pour les conceptions électroniques de puissance durables.
INFORMATION
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Catégorie
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Fabricant
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Infineon Technologies
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Série
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-
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Emballage
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Plateau
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Statut de la pièce
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Obsolète
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Type d'IGBT
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-
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Configuration
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Onduleur Triphasé
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Tension - Rupture Collecteur Émetteur (Max)
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1200 V
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Courant - Collecteur (Ic) (Max)
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50 A
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Puissance - Max
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350 W
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Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
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3V @ 15V, 50A
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Courant - Coupure Collecteur (Max)
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1 mA
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Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
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3.3 nF @ 25 V
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Entrée
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Standard
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Thermistance NTC
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Non
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Température de fonctionnement
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150°C (TJ)
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Type de montage
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Montage sur châssis
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Boîtier / Conditionnement
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Module
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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Module
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Numéro de produit de base
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Schéma
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Liste de produits
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