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Aperçu ProduitsModule d'alimentation IGBT

BSM50GD120DN2E3226 1200V/50A IGBT Module à double configuration basse vitesse VCE (sat) commutation à grande vitesse basse perte intégrée NTC Plaque de base isolée de qualité industrielle pour les moteurs et les onduleurs solaires

LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications
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BSM50GD120DN2E3226 1200V/50A IGBT Module à double configuration basse vitesse VCE (sat) commutation à grande vitesse basse perte intégrée NTC Plaque de base isolée de qualité industrielle pour les moteurs et les onduleurs solaires

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Image Grand :  BSM50GD120DN2E3226 1200V/50A IGBT Module à double configuration basse vitesse VCE (sat) commutation à grande vitesse basse perte intégrée NTC Plaque de base isolée de qualité industrielle pour les moteurs et les onduleurs solaires

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: Infineon
Certification: CE, GCF, ROHS
Numéro de modèle: BSM50GD120DN2E3226
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: negotiable
Détails d'emballage: Emballé dans un plateau d'origine d'abord, puis Carton, enfin un sac à bulles pour l'emb
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Conditions de paiement: T/T, Western Union,
Capacité d'approvisionnement: 1000pcs par mois
Description de produit détaillée
Voltage nominal C.A.I.C.: 690 V Estimation d'ampère: 125 A
Conforme RoHS: Oui Largeur du produit: 40 mm
Durée du produit: 135 mm Hauteur du produit: 64 millimètres
Mettre en évidence:

Module de puissance IGBT 1200V 50A

,

Module IGBT à configuration double avec NTC

,

Module IGBT industriel pour entraînements de moteurs

BSM50GD120DN2E3226 Module IGBT 1200V/50A Configuration Double Faible VCE(sat) Commutation Haute Vitesse Faibles Pertes Thermiques NTC Intégré Plaque de Base Isolée Qualité Industrielle pour Entraînements Moteurs & Onduleurs Solaires

 

 

Caractéristiques

  • Tension/Courant Nominale : 1200 V / 50 A

  • Configuration : Double IGBT

  • Faible Tension de Saturation : VCE(sat) pour réduire les pertes par conduction.

  • Faibles Pertes de Commutation : Optimisé pour un fonctionnement à haute fréquence.

  • Thermistance NTC Intégrée : Permet la protection et la surveillance thermiques.

  • Plaque de Base Isolée : Facilite le montage du dissipateur thermique et améliore la sécurité.

  • Haute Fiabilité : Longévité et robustesse de qualité industrielle.

  • Faible Impédance Thermique : Dissipation thermique efficace.

 

Applications

  • Onduleurs Solaires : Utilisé dans l'étage de conversion de puissance des systèmes photovoltaïques résidentiels et commerciaux.

  • Alimentations Sans Interruption (ASI) : Employé dans la section onduleur des systèmes ASI en ligne et interactifs.

  • Entraînements de Moteurs Industriels : Pour contrôler les moteurs AC dans les pompes, les ventilateurs et les compresseurs.

  • Équipement de Soudage : Fournit le cœur de commutation pour les machines à souder industrielles.

  • Chauffage par Induction : Utilisé dans les circuits de puissance des systèmes de chauffage et de fusion par induction.

 

Description

Le BSM50GD120DN2E3226 est un module IGBT double haute puissance conçu pour des performances robustes dans les applications de conversion d'énergie exigeantes. Il est nominal pour 1200V et 50A, offrant un étage de puissance fiable pour les systèmes de moyenne à haute puissance. Le module est conçu pour un rendement élevé, avec une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) et optimisé pour de faibles pertes de commutation.

Ce module comprend des fonctionnalités intégrées essentielles telles qu'une thermistance NTC pour une surveillance précise de la température et une plaque de base isolée pour une gestion thermique simplifiée et sûre. Sa construction de qualité industrielle assure une grande fiabilité et une stabilité à long terme dans des conditions de fonctionnement rigoureuses, ce qui en fait une pierre angulaire pour les conceptions électroniques de puissance durables.

 

INFORMATION

Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
-
Emballage
Plateau
Statut de la pièce
Obsolète
Type d'IGBT
-
Configuration
Onduleur Triphasé
Tension - Rupture Collecteur Émetteur (Max)
1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
50 A
Puissance - Max
350 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max)
1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
3.3 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Non
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier / Conditionnement
Module
Boîtier du dispositif du fournisseur
Module
Numéro de produit de base

Schéma

BSM50GD120DN2E3226 1200V/50A IGBT Module à double configuration basse vitesse VCE (sat) commutation à grande vitesse basse perte intégrée NTC Plaque de base isolée de qualité industrielle pour les moteurs et les onduleurs solaires 0

Notre avantage :téléphones, PDAand#39;s, ordinateurs portables

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Forte en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc

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Coordonnées
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Personne à contacter: Mrs. Natasha

Téléphone: 86-13723770752

Télécopieur: 86-755-82815220

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