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nous offrons le service sur un seul point de vente de solution, des modules de communication, des antennes, de la carte PCB, du PCBA, et de tous les composants pour la carte PCB Bom.

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Aperçu ProduitsModule d'alimentation IGBT

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264

LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications
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IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264
IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264 IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264

Image Grand :  IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: IXYS
Certification: CE, GCF, ROHS
Numéro de modèle: Pour les véhicules à moteur électrique
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: negotiable
Détails d'emballage: Emballé dans un plateau d'origine d'abord, puis Carton, enfin un sac à bulles pour l'emb
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Conditions de paiement: T/T, Western Union,
Capacité d'approvisionnement: 1000pcs par mois
Description de produit détaillée
Voltage nominal C.A.I.C.: 690 V Estimation d'ampère: 125 A
Conforme RoHS: Oui Largeur du produit: 40 mm
Durée du produit: 135 mm Hauteur du produit: 64 millimètres
Mettre en évidence:

Le MOSFET SiC 900V TO-264 peut être utilisé pour la fabrication d'un système de détection de la pollution.

,

56A MOSFET à commutation rapide

,

Module d'alimentation igt à haute fréquence

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET bas Rds ((on) 65mΩ Commutation rapide à haute fréquence Corps robuste Diode à haute température Opération TO-264 Package

 

Caractéristiques

  • Paquet de normes internationales

  • à haute résistance à l'usure

  • RDS bas ((on) et QG

  • Nommé pour les avalanches

  • Faible inductance de l'emballage

  • Réducteur intrinsèque rapide

 

Applications

  • Écran de commutation et de résonance

  • Convertisseurs CC-DC

  • Les conducteurs laser

  • Moteurs à courant alternatif et à courant continu

  • Robotique et servocommandes

 

Définition

Le...Le numéro d'immatriculation du véhiculeest un MOSFET en carbure de silicium (SiC) à haute tension et à courant élevé dans un emballage TO-264, conçu pour offrir une efficacité et des performances supérieures dans les systèmes de conversion de puissance exigeants.Il tire parti des avantages de la technologie SiC, offrant une excellente combinaison d'une tension de rupture de 900 V et d'un faible courant continu de 56 A. Sa très faible résistance à l'état actif (Rds ((on)) de 65 mΩ minimise les pertes de conduction,Les propriétés inhérentes du SiC permettent des vitesses de commutation extrêmement rapides avec de faibles pertes.Cela réduit la taille et le coût des composants passifs tels que les magnétiques et les condensateurs.Le MOSFET dispose d'une diode intrinsèque robuste avec d'excellentes caractéristiques de récupération inverseSa capacité de fonctionnement à haute température et son ensemble de normes industrielles en font une solution robuste et polyvalente pour les conceptions d'énergie modernes.

 

Les informations sont fournies à la Commission.

Catégorie
Mfr
Série
Emballage
Tuyaux
Statut de la partie
Actif
Type de FET
Technologie
Voltage d'évacuation à la source (Vdss)
Pour les appareils électroniques
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé)
10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (maximum) @ Id
6.5V @ 3mA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs
375 nC @ 10 V
Vgs (maximum)
± 30 V
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Caractéristique FET
-
Dissipation de puissance (max)
Pour les appareils à commande numérique
Température de fonctionnement
-55°C à 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage du châssis
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
Le SOT-227
Emballage / boîtier
Numéro du produit de base

 

Le dessin

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET SiC à faible Rds(on) 65mΩ Commutation rapide Haute fréquence Diode de corps robuste Fonctionnement à haute température Boîtier TO-264 0

Notre avantage:Téléphones, PDA et ordinateurs portables

  • Produits de haute qualité --- nos offres sont 100% neufs et originaux, ROHS
  • Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
  • Service professionnel --- test de qualité strict avant l'expédition, et service après-vente parfait après l'achat.
  • Inventaire adéquat --- Avec le soutien de notre solide équipe d'achat,
  • Livraison rapide --- nous expédierons les marchandises dans les 1-3 jours ouvrables après confirmation du paiement.

etnbsp;

Assurez-vous de répondre à vos besoins en toutes sortes de composants.Je suis désolé.


Liste des produits
Nous fournissons une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, des composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à obtenir tout pour le bon de la PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,


Les offres comprennent:
Circuits intégrés, circuits intégrés de mémoire, diodes, transistors, condensateurs, résistants, varistors, fusibles, décortiqueurs et potentiomètres, transformateurs, batteries, câbles, relais, commutateurs, connecteurs, bornes de bornes,Cristaux et ampoulesLes produits qui sont utilisés pour la fabrication de l'électronique sont:

Une marque forte:
Il s'agit notamment de l'équipement de base pour la fabrication des produits de base.

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Coordonnées
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Personne à contacter: Mrs. Natasha

Téléphone: 86-13723770752

Télécopieur: 86-755-82815220

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