FPS0R12W2T7 1200V 2 en 1 module IGBT technologie d'arrêt de champ de tranchée basse VCEsat Diode de récupération rapide intégrée NTC haute isolation basse inductance robuste et efficace pour les moteurs

FPS0R12W2T7 1200V Module IGBT 2-en-1 Technologie Trench Field Stop Diode à récupération rapide Intégré NTC Isolation élevée Faible inductance Robuste et efficace pour les entraînements de moteurs

Caractéristiques

• Caractéristiques électriques

• - VCES = 1200 V

• - IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

• - Faible VCE,sat

• - TRENCHSTOPTM IGBT7

• - Fonctionnement en surcharge jusqu'à 175°C

• Caractéristiques mécaniques

• - Substrat Al2O3 à faible résistance thermique

• - Technologie de contact PressFIT

• - Isolation 2,5 kV AC 1 minute

• - Conception compacte

• - Haute densité de puissance

Applications 

• Entraînements de moteurs

• Onduleurs auxiliaires

• Climatisation

Description

Le FPS0R12W2T7 est un module de puissance haute performance de 1200 V (0,12 kV) d'Infineon Technologies, appartenant à la famille Field Stop Trench IGBT. Il est conçu pour offrir une haute efficacité et fiabilité dans les applications de conversion de puissance industrielle.

INFORMATIONS

Dessin

Notre avantage :téléphones, PDA, ordinateurs portables

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Liste des produits
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Les offres comprennent :
Circuit intégré, CI de mémoire, Diode, Transistor, Condensateur, Résistance, Varistance, Fusible, Trimmer et potentiomètre, Transformateur, Batterie, Câble, Relais, Interrupteur, Connecteur, Bloc de jonction, Cristal et oscillateur, Inductance, Capteur, Transformateur, Driver IGBT, LED, LCD, Convertisseur, PCB (Circuit imprimé), PCBA (Assemblage de PCB)

Fort dans la marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.