Aperçu Produits Module d'alimentation IGBT

IXFN56N90P 900V 56A N-Channel MOSFET ultra-faible Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technology Diode de corps rapide basse Qg Commutation à grande vitesse SOT-227B Paquet pour les UPS et les entraînements

Tous les produits

Module 4G 5G (37)

Module de communication sans fil (38)

Module de récepteur GPS (11)

Modules d'alimentation intégrés (4)

Module d'alimentation IGBT (76)

composants de circuit intégré (533)

Composants électroniques passifs (91)

antenne gps à gain élevé (14)

antenne sans fil de communication (30)

antenne combinée (14)

Antenne à basse fréquence (5)

Antenne de Digital TV (7)

câble coaxial de RF (9)

connecteur coaxial de rf (10)

Services Assemblée PCB (5)

Cosses de bloc (16)

LA CHINE TOP Electronic Industry Co., Ltd. certifications

Excellent produit, bonne qualité, le prix concurrentiel, service professionnel, avec 10 ans de coopération, maintenant nous devenons de bons amis.

—— Ronald-de Boilvia

Il est très heureux de trouver le DESSUS en tant que notre associé en Chine, ici nous pouvons obtenir le meilleur produit et serice, ils mettent toujours le client au premier endroit.

—— Carlos-De l'Argentine

Je suis très satisfaisant avec tout votre service. C'est vraiment une bonne équipe ! avec votre offre sur un seul point de vente de solution, aidez-nous à épargner beaucoup d'heure et d'argent

—— Giancarlo-De l'Italie

Je suis en ligne une discussion en ligne

IXFN56N90P 900V 56A N-Channel MOSFET ultra-faible Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technology Diode de corps rapide basse Qg Commutation à grande vitesse SOT-227B Paquet pour les UPS et les entraînements

Image Grand : IXFN56N90P 900V 56A N-Channel MOSFET ultra-faible Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technology Diode de corps rapide basse Qg Commutation à grande vitesse SOT-227B Paquet pour les UPS et les entraînements

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Chine
Nom de marque:	IXYS
Certification:	CE, GCF, ROHS
Numéro de modèle:	Pour les véhicules à moteur électrique

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	negotiable
Détails d'emballage:	Emballé dans un plateau d'origine d'abord, puis Carton, enfin un sac à bulles pour l'emb
Délai de livraison:	3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Conditions de paiement:	T/T, Western Union,
Capacité d'approvisionnement:	1000 pièces par mois

Contact

Description de produit détaillée

Taper:	MODULE IGBT	Emballer:	nouveau et originalF00R12KT4 : module IGBT 1 200 V 200 A, faible VCE (sat), robustesse élevée contre
Condition:	Nouveau et original	Statut sans plomb:	Conforme RoHS
Expédition par:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL, UPS, Fedex et EMS

IXFN56N90P 900V 56A N-Channel MOSFET ultra-faible Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technology Diode de corps rapide basse Qg Commutation à grande vitesse SOT-227B Paquet pour les UPS et les entraînements

Caractéristiques

Paquet de normes internationales
à haute résistance à l'usure
RDS bas ((on) et QG
Nommé pour les avalanches
Faible inductance de l'emballage
Réducteur intrinsèque rapide

Applications

Densité de puissance élevée
Facile à monter
Économies d'espace

Définition

Écran de commutation et de résonance

Convertisseurs CC-DC

Les conducteurs laser

Moteurs à courant alternatif et à courant continu

Robotique et servocommandes

Les informations sont fournies à la Commission.

catégorie	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Le FET, le MOSFET Les FET simples et les MOSFET
le fabricant	IXYS
séries	HiPerFETTM, polymère
Emballage	Pièces d'assemblage de tuyaux
Statut de la partie	À vendre
Type de FET	Chaîne N
Technologie	Les MOSFET (oxydes métalliques)
Voltage de la source de vidange (Vdss)	Pour les appareils électroniques
Courant à 25°C - écoulement continu (ID)	56A ((Tc)
Le réglage de la tension d'entraînement doit être effectué en tenant compte de l'état de la tension de l'appareil.	10 V
Résistance à l'allumage à différents ID et Vgs (max)	Le système de régulation de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
Vgs(th) pour les différents identifiants (maximum)	6.5V @ 3mA
Charge de la porte (Qg) à différentes Vgs (max)	375 nC @ 10 V
Vgs (max)	± 30 V
Capacité d'entrée (CIS) à différents Vds (maximum)	23000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	Le nombre de cycles est déterminé par le nombre de cycles.
Température de fonctionnement	-55 °C à 150 °C (TJ)
de qualité	-
Qualifications	-
Type de montage	Montage de la base
Packages de dispositifs du fournisseur	Le SOT-227
Emballage/emballage	Je vous en prie, faites-moi signe.

Le dessin

Notre avantage:Téléphones, PDA et ordinateurs portables

Produits de haute qualité --- nos offres sont 100% neufs et originaux, ROHS
Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
Service professionnel --- test de qualité strict avant l'expédition, et service après-vente parfait après l'achat.
Inventaire adéquat --- Avec le soutien de notre solide équipe d'achat,
Livraison rapide --- nous expédierons les marchandises dans les 1-3 jours ouvrables après confirmation du paiement.

etnbsp;

Assurez-vous de répondre à vos besoins en toutes sortes de composants.Je suis désolé.

Liste des produits
Nous fournissons une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, des composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à obtenir tout pour le bon de la PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,

Les offres comprennent:
Circuits intégrés, circuits intégrés de mémoire, diodes, transistors, condensateurs, résistants, varistors, fusibles, décortiqueurs et potentiomètres, transformateurs, batteries, câbles, relais, commutateurs, connecteurs, bornes de bornes,Cristaux et ampoulesLes produits qui sont utilisés pour la fabrication de l'électronique sont:

Une marque forte:
Il s'agit notamment de l'équipement de base pour la fabrication des produits de base.